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GTRA362802FC-V1中文資料WOLFSPEED數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GTRA362802FC-V1
廠商型號(hào)

GTRA362802FC-V1
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz
文件大小

553.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 11:06:00

GTRA362802FC-V1規(guī)格書詳情

Description

The GTRA362802FC is a 280-watt (P3dB) GaN on SiC high electron

mobility transistor (HEMT) designed for use in multi-standard cellular

power amplifier applications. It features input matching, high

efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Asymmetrical Doherty design

- Main: P3dB = 120 W Typ

- Peak: P3dB = 180 W Typ

? Typical Pulsed CW performance, 3400 – 3600 MHz,

48 V, combined outputs, 10 μs pulse width, 10

duty cycle

- Output power at P3dB = 280 W

- Drain Efficiency = 60

- Gain = 15 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 44 W (CW)

output power

? Human Body Model Class 1A (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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