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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HM9926B	文件：491.38 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
JMTP9926A	文件：314.702 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KD9926	文件：984.39 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KI9926A	文件：483.71 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
LM9926B	文件：569.86 Kbytes Page：3 Pages	20VDS竊??2VGS竊?A(ID)DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

詳細參數(shù)

型號：
GTS9926E
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	GTS9926E	GTM	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GTSD31-220M		23+	SMD	46000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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深圳市科芯源微電子有限公司	GTSD31-220M		24+	SMD	98000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
深圳市紐聯(lián)電子有限公司	GTSD31-4R78M	COTREND	VLF3010AT2R2M1R080VLF3010AT2R2	w tdk co jp tefe02 e531 vlf301	40000	全新原裝現(xiàn)貨樣品可售	詢價
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更多GTS9926E供應(yīng)商更新時間2025-1-22 17:06:00

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