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GTVA101K42EV分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA101K42EV
廠商型號

GTVA101K42EV
參數屬性

GTVA101K42EV 封裝/外殼為H-36275-4；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, DC – 1400 MHz
GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
封裝外殼

H-36275-4
文件大小

2.17807 Mbytes
頁面數量

14 頁
生產廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-24 17:02:00

GTVA101K42EV規(guī)格書詳情

GTVA101K42EV屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的GTVA101K42EV晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The GTVA101K42EV is a 1400-watt GaN on SiC high electron mobility

transistor (HEMT) for use in the DC to 1400 MHz frequency band. It is a

input matched, high efficiency device in a thermally-enhanced package

with bolt-down flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical Pulsed CW performance, 960 – 1400 MHz, 50

V, single side, 128 μs pulse width, 10 duty cycle

- Output power at P3dB = 1400 W

- Efficiency = 68

- Gain = 17 dB

? Pb-free and RoHS compliant

產品屬性

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  • 產品編號：

    GTVA101K42EV-V1-R0

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    960MHz ~ 1.4GHz

  • 增益：

    17dB

  • 功率 - 輸出：

    1400W

  • 封裝/外殼：

    H-36275-4

  • 供應商器件封裝：

    H-36275-4

  • 描述：

    GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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