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GTVA107001EC-V1-R2

High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, DC - 1.4 GHz

Description TheGTVA107001ECandGTVA107001FCare700-wattGaNonSiChighelectronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecyband. Features ?GaNonSiCHEMTtechnology ?Inputmatched ?TypicalpulsedCWperformance(classAB),1030MHz, 50V,128μspulsewidth,10

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA107001EC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz

CreeCree, Inc

科銳

GTVA107001EC-V1-R250

Package：SOT-957A；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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Wolfspeed Inc.
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更多GTVA107001EC-V1-R2供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:08:00

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