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GTVA126001EC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz

Description TheGTVA126001ECandGTVA126001FCare600-wattGaNonSiChigh electronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecy band.Theyfeatureinputmatching,highefficiency,andthermallyenhancedpackages. Features ?GaNonSiCHEMTtechnology ?Inputmatched ?Ty

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更多GTVA126001EC-V1-R2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-3 15:00:00

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