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H11AG1M中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H11AG1M
廠商型號(hào)

H11AG1M

功能描述

Phototransistor Optocoupler

文件大小

248.05 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-31 17:02:00

H11AG1M規(guī)格書詳情

Description

The H11AG1M device consists of a Gallium-Aluminum-Arsenide IRED emitting diode coupled with a silicon phototransistor in a dual in-line package. This device provides the unique feature of the high current transfer ratio at both low output voltage and low input current. This makes it ideal for use in low power logic circuits, telecommunications equipment and portable electronics isolation applications.

Features

■ High efficiency low degradation liquid epitaxial IRED

■ Logic level compatible, input and output currents,

with CMOS and LS/TTL

■ High DC current transfer ratio at low input currents

(as low as 200μA)

■ Underwriters Laboratory (UL) recognized File

#E90700, Volume 2

■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)

Applications

■ CMOS driven solid state reliability

■ Telephone ring detector

■ Digital logic isolation

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    H11AG1M

  • 功能描述:

    晶體管輸出光電耦合器 PHOTOTRANSISTOR

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型:

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓:

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:

    0.4 V

  • 絕緣電壓:

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓:

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流:

    60 mA

  • 最大集電極電流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作溫度:

    + 110 C

  • 最小工作溫度:

    - 55 C

  • 封裝/箱體:

    DIP-4

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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