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H11D1TVM中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

H11D1TVM
廠商型號(hào)

H11D1TVM

功能描述

6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers

文件大小

339.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-17 23:00:00

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H11D1TVM規(guī)格書(shū)詳情

Description

The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are

phototransistor?type optically coupled optoisolators. A gallium

arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN

silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic

six?pin dual?in?line package.

Features

? High Voltage:

? MOC8204M, BVCEO = 400 V

? H11D1M, BVCEO = 300 V

? H11D3M, BVCEO = 200 V

? Safety and Regulatory Approvals:

? UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute

? DIN?EN/IEC60747?5?5, 850 V Peak Working Insulation Voltage

Applications

? Power Supply Regulators

? Digital Logic Inputs

? Microprocessor Inputs

? Appliance Sensor Systems

? Industrial Controls

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
DIP6
7350
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