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HAT2026R	文件：89.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2026R	文件：51.16 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2026R-EL-E	文件：89.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IPP-2026	文件：76.88 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUPLER	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
ISG2026	文件：298.72 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·TemperatureStableBehavior ·ParallelSwitchingCapability APPLICATIONS ·Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines, pumps,fansandvacuumcleaners	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KIA2026F	文件：65.78 Kbytes Page：3 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(UNBALNCECTOBALANCESSIGNALCONVERTER) UNBALNCECTOBALANCESSIGNALCONVERTER	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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