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H20R1203中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H20R1203
廠商型號

H20R1203

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

文件大小

800.28 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-1 13:30:00

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H20R1203規(guī)格書詳情

1. Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only

2. Low EMI

3. Qualified according to JESD-022 for target applications

4. Pb-free lead plating; RoHS compliant

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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