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H25R1202

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior ?NPTtechnologyofferse

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多H25R1202供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 14:00:00

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