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IRFI4110GPBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFP4110

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP4110

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description: ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features: 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFP4110PBF

HEXFETPowerMOSFET

VDSS100V RDS(on)typ.3.7m? max.4.5m? ID(SiliconLimited)180A ID(PackageLimited)120A Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Aplications

IRF

International Rectifier

IRFP4110PBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

IRF

International Rectifier

IRHF4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE

IRF

International Rectifier

IRHG4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)

IRF

International Rectifier

IRHQ4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-28)

IRF

International Rectifier

IRKH4110A

THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR

IRF

International Rectifier

IRKL4110A

THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    H4110RDYA

  • 制造商:

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別:

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列:

    Holco, Holsworthy

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±0.5%

  • 功率 (W):

    0.5W,1/2W

  • 成分:

    金屬薄膜

  • 特性:

    脈沖耐受

  • 溫度系數(shù):

    ±15ppm/°C

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼:

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    軸向

  • 大小 / 尺寸:

    0.146" 直徑 x 0.394" 長(3.70mm x 10.00mm)

  • 描述:

    RES 110 OHM 0.5% 1/2W AXIAL

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更多H4110RDYA供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 16:26:00