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H5N2007LSTL-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-Renesas Electronics America Inc

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原廠(chǎng)料號(hào)：H5N2007LSTL-E品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說(shuō)明：MOSFET N-CH HS SW TO-263

H5N2007LSTL-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝的H5N2007LSTL-E晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    h5n2007lstl-e

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET N-CH HS SW TO-263

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    H5N2007LSTL-E

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A（Tj）

  • 描述：

    MOSFET N-CH HS SW TO-263

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
21+
TO263
200
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 詢(xún)價(jià)
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2023+
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