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H5N2509P

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.053?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=250V,VGS=0V) ?Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3?,VGS=10V) ?Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) ?Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2509P

SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING

SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

H5N2509P

PowerMOSFETsandIGBTforPDP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2509P-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.053?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=250V,VGS=0V) ?Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3?,VGS=10V) ?Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) ?Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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瑞薩RENESA
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保證原裝正品,假一陪十
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HITACHI
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十年配單,只做原裝
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瑞薩RENESA
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DPAK(L)-
15000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
更多H5N2509PF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 14:30:00