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H5N5004PL中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H5N5004PL
廠商型號

H5N5004PL

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

65.48 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00

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H5N5004PL規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance: RDS(on)= 0.09 ?typ.

? Low leakage current: IDSS = 10 μA max (at VDS = 500 V)

? High speed switching: tf = 280 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 25 A)

? Low gate charge: Qg = 220 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 50 A)

? Avalanche ratings

? Built-in fast recovery diode: trr = 190 ns typ

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    H5N5004PL

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Renesas(瑞薩)
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NA/
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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