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H5N5005PL-E0-E

500V - 60A - MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.070Ωtyp.(atID=30A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching ?Lowgatecharge ?Avalancheratings ?Built-infastrecoverydiode ?Qualitygrade:Standard

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瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N5005PL-E0-E_15

500V - 60A - MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5005PL

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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更多H5N5005PL-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 10:06:00