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H7N0307LD-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H7N0307LD-E
廠商型號

H7N0307LD-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

105.17 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 18:27:00

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H7N0307LD-E規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance

RDS (on) = 4.6 m? typ.

? Low drive current

? 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    H7N0307LD-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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