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H8365RBDA

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:軸向 類別:電阻器 通孔式電阻器 描述:RES 365 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

TEConnectivityPassiveProductTE Connectivity Passive Product

TE Connectivity Passive ProductTE ConnectivityPassiveProduct

LM8365

MicropowerUndervoltage-SensingCircuit

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

LM8365

MicropowerUndervoltageSensingCircuitswithProgrammableOutputDelay

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LT8365

Four-ChannelTransimpedanceAmplifierwithOutputMultiplexing

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LT8365

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#PBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#PBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

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LT8365EMSE#TRPBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

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LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

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LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

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LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    H8365RBDA

  • 制造商:

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別:

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列:

    Holco, Holsworthy

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±0.1%

  • 功率 (W):

    0.25W,1/4W

  • 成分:

    金屬薄膜

  • 特性:

    脈沖耐受

  • 溫度系數(shù):

    ±25ppm/°C

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼:

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    軸向

  • 大小 / 尺寸:

    0.098" 直徑 x 0.283" 長(2.50mm x 7.20mm)

  • 描述:

    RES 365 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TE
23+
NA
200
通孔式電阻器
詢價(jià)
TE Connectivity
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
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