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IRF840

PowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A)

PowerMOSFET VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A NChannel

TEL

TRANSYS Electronics Limited

IRF840

TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET

Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap

DCCOM

Dc Components

IRF840

POWERMOSFET

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

IRF840

iscN-ChannelMosfetTransistor

Designedforhighvoltage,highspeedswitchingpowerapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelay FEATURES 1.DrainCurrent–ID=8.0A@TC=25℃ 2.DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) 3.StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.8

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF840

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF840

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-AC convertersandhighcurrenthighspeedswitchingcircuits.APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffasts

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

IRF840

A0.9-AConstantCurrentSupplywithPFCfor100-WLED

TI1Texas Instruments

德州儀器

IRF840

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION TheNellIRF840areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

IRF840

PowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    H840KBCA

  • 制造商：

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Holco, Holsworthy

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±0.1%

  • 功率 (W)：

    0.25W，1/4W

  • 成分：

    金屬薄膜

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 溫度系數(shù)：

    ±50ppm/°C

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.098" 直徑 x 0.283" 長（2.50mm x 7.20mm）

  • 描述：

    RES 40K OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
24+
N/A
51000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
TE
2022+
20
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
TE Connectivity
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
HLLR
23+
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
TE
10
詢價(jià)
TE/泰科
24+
S/N
40377
英特法電子只做原裝正品,終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
TE
24+
con
10
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格
 詢價(jià)
Bourns
22+
NA
5889
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
ST
23+
QFP
1186
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
24+
QFP
200000
原裝進(jìn)口正口,支持樣品
 詢價(jià)
更多H840KBCA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 11:06:00

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