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NCV8412

Self-ProtectedLowSideDriverwithIn-RushCurrentManagement

TheNCV8412isathreeterminalprotectedLow?SideSmart DiscreteFET.TheprotectionfeaturesincludeDeltaThermal Shutdown,overcurrent,overtemperature,ESDandintegrated Drain?to?Gateclampingforovervoltageprotection.Thedevicealso offersfaultindicationviathegatepin.Thisdevi

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NCV8412D

Self-ProtectedLowSideDriverwithIn-RushCurrentManagement

TheNCV8412isathreeterminalprotectedLow?SideSmart DiscreteFET.TheprotectionfeaturesincludeDeltaThermal Shutdown,overcurrent,overtemperature,ESDandintegrated Drain?to?Gateclampingforovervoltageprotection.Thedevicealso offersfaultindicationviathegatepin.Thisdevi

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PE8412

NFEMALECIRCULATOR4-8GHz10w

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

PJE8412

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET–ESDProtected

Features ?RDS(ON),VGS@4.5V,ID@350mA

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJE8412

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET??ESDProtected

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    H8412RBZA

  • 制造商：

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Holco, Holsworthy

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±0.1%

  • 功率 (W)：

    0.25W，1/4W

  • 成分：

    金屬薄膜

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 溫度系數：

    ±100ppm/°C

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.098" 直徑 x 0.283" 長（2.50mm x 7.20mm）

  • 描述：

    RES 412 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
N/A
51000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
TE
2022+
20
全新原裝 貨期兩周
 詢價
TE Connectivity
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
HLLR
23+
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
TE
10
詢價
TE/泰科
24+
S/N
40377
英特法電子只做原裝正品,終端可以免費供樣,支持BOM配單
 詢價
TE
24+
con
10
現(xiàn)貨常備產品原裝可到京北通宇商城查價格
 詢價
Bourns
22+
NA
5889
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
ST
23+
QFP
1186
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ST
24+
QFP
200000
原裝進口正口,支持樣品
 詢價
更多H8412RBZA供應商 更新時間2025-3-28 9:06:00

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