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NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Singlerectifierconstruction ?Highsurgecapability ?Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro | JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司 | JINGHENG | ||
GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER | JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司 | JINGHENG | ||
3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance. | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh– | NTE NTE Electronics | NTE | ||
IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh– | NTE NTE Electronics | NTE | ||
OPA859-Q11.8-GHzUnity-GainBandwidth,3.3-nV/??z,FETInputAmplifier | TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI | ||
1.8GHzUnity-GainBandwidth,3.3-nV/??z,FETInputAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
OPA8561.1-GHzUnity-GainBandwidth,0.9nV/??z,BipolarInputAmplifier | TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI | ||
OPA810140-MHz,Rail-to-RailInput/Output,FET-InputOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
H859RBCA
- 制造商：
TE Connectivity Passive Product
- 類(lèi)別：
電阻器 > 通孔式電阻器
- 系列：
Holco, Holsworthy
- 包裝：
卷帶（TR）
- 容差：
±0.1%
- 功率 (W)：
0.25W，1/4W
- 成分：
金屬薄膜
- 特性：
脈沖耐受
- 溫度系數(shù)：
±50ppm/°C
- 工作溫度：
-55°C ~ 155°C
- 封裝/外殼：
軸向
- 供應(yīng)商器件封裝：
軸向
- 大小 / 尺寸：
0.098" 直徑 x 0.283" 長(zhǎng)（2.50mm x 7.20mm）
- 描述：
RES 59 OHM 0.1% 1/4W AXIAL
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE |
21+ |
N/A |
2500 |
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
TE Connectivity |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
TE |
10 |
詢(xún)價(jià) | |||||
TE/泰科 |
24+ |
S/N |
40432 |
英特法電子只做原裝正品,終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
TE |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢(xún)價(jià) | ||
TE |
24+ |
con |
10 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格 |
詢(xún)價(jià) | ||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
220083 |
一級(jí)代理，原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
SAMSUNG |
24+ |
LCC |
1068 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
SAMSUNG |
24+ |
LCC |
666 |
詢(xún)價(jià) |
