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HAF1002L中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HAF1002L
廠商型號

HAF1002L

功能描述

Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

文件大小

97.05 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 23:00:00

HAF1002L規(guī)格書詳情

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit opertion to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

? Logic level operation (–4 to –6 V Gate drive)

? High endurance capability against to the short circuit

? Built-in the over temperature shut-down circuit

? Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HAF1002L

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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