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HAF2012S中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HAF2012S
廠商型號

HAF2012S

功能描述

Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

文件大小

129.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 14:18:00

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HAF2012S規(guī)格書詳情

This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

? Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

? High endurance capability against to the short circuit

? Built–in the over temperature shut–down circuit

? Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HAF2012S

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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