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HCX-D131	文件：189.59 Kbytes Page：1 Pages	For76.8V24SLiFePO4BatteryPacks	BESTECHBesTech Power Co., Ltd 百思特百思特電源有限公司	BESTECH
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HVC131	文件：82.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVC131	文件：31.44 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) Lowforwardresistance.(rf=1.0max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
HVD131	文件：22.77 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD131	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：23.4 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU131	文件：77.82 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：31.96 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
HVU131	文件：187.22 Kbytes Page：1 Pages	LowCapacitanceLowForwardresistance Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
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INA131BP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131BP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
IRF131	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF131	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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更多HAL131供應商更新時間2025-1-11 11:00:00

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