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HAT2019R中文資料日立數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HAT2019R
廠商型號(hào)

HAT2019R

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

50.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hitachi日立

中文名稱

日立公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 22:59:00

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HAT2019R規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance

? Capable of 2.5 V gate drive

? Low drive current

? High density mounting

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HAT2019R

  • 制造商:

    HITACHI

  • 制造商全稱:

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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