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HAT2140H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HDL2140

LCFILTER

SHOULDERShoulder

好達電子無錫市好達電子股份有限公司

HUN2140

PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

IPP-2140

OUTLINECOUP

IPP

Innovative Power Products, Inc.

JFE2140

JFE2140Ultra-LowNoise,Matched,Dual,Low-GateCurrent,Discrete,Audio,N??hannelJFET

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

JFE2140

JFE2140Ultra-LowNoise,Matched,Dual,Low-GateCurrent,Discrete,Audio,N?ChannelJFET

1Features ?Ultra-lownoise: –Voltagenoise: ?0.9nV/√Hzat1kHz,IDS=5mA ?1.1nV/√Hzat1kHz,IDS=2mA –Currentnoise:1.6fA/√Hzat1kHz ?LowVGSmismatch:4mV(max) ?Lowgatecurrent:10pA(max) ?Lowinputcapacitance:13pFatVDS=5V ?Highgate-to-drainandgate-

TI1Texas Instruments

德州儀器

JFE2140DR

JFE2140Ultra-LowNoise,Matched,Dual,Low-GateCurrent,Discrete,Audio,N??hannelJFET

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

JFE2140DR

JFE2140Ultra-LowNoise,Matched,Dual,Low-GateCurrent,Discrete,Audio,N?ChannelJFET

1Features ?Ultra-lownoise: –Voltagenoise: ?0.9nV/√Hzat1kHz,IDS=5mA ?1.1nV/√Hzat1kHz,IDS=2mA –Currentnoise:1.6fA/√Hzat1kHz ?LowVGSmismatch:4mV(max) ?Lowgatecurrent:10pA(max) ?Lowinputcapacitance:13pFatVDS=5V ?Highgate-to-drainandgate-

TI1Texas Instruments

德州儀器

JFE2140DSGR

JFE2140Ultra-LowNoise,Matched,Dual,Low-GateCurrent,Discrete,Audio,N?ChannelJFET

1Features ?Ultra-lownoise: –Voltagenoise: ?0.9nV/√Hzat1kHz,IDS=5mA ?1.1nV/√Hzat1kHz,IDS=2mA –Currentnoise:1.6fA/√Hzat1kHz ?LowVGSmismatch:4mV(max) ?Lowgatecurrent:10pA(max) ?Lowinputcapacitance:13pFatVDS=5V ?Highgate-to-drainandgate-

TI1Texas Instruments

德州儀器

JHV2140

HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

K2140

boxesandancillaryproducts

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

KA2140B

R/G/BVIDEOAMPLIFIERWITHOSDINTERFACEFORMONITORS

R/G/BVIDEOAMPLIFIER TheKA2140BisaveryhighfrequencyvideoamplifiersystemwithanOSDinterface,intendedtobeusedinmonitorwithhighresolutionupto1280′1024.Itcontains3matchedR/G/BvideoAmplifierswithBlanksignalandprovidesaflexibleinterfacingtoDCcontrolledadjus

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

LSR2140

SUPERBRIGHTROUNDTYPELEDLAMPS

LIGITEK

Ligitek electronic

LWTN-2140

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LWTN-2140/Q

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

MADDT2140

TechnicalreferenceACServoMotor&Driver

PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group

松下電器松下電器(中國)有限公司

MAX2140

CompleteSDARSReceiver

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX2140

CompleteSDARSReceiver

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX2140ETH

CompleteSDARSReceiver

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX2140ETH

CompleteSDARSReceiver

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    HAT2140H-EL-E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多HAT2140H-EL-E供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 9:01:00