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HAT2160H-EL-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
HAT2160H-EL-E |
| 功能描述 | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 文件大小 |
90.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-24 23:01:00 |
| 人工找貨 | HAT2160H-EL-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HAT2160H-EL-E規(guī)格書詳情
Features
? Capable of 4.5 V gate drive
? Low drive current
? High density mounting
? Low on-resistance
RDS(on) = 2.1 m? typ. (at VGS = 10 V)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HAT2160H-EL-E
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
553 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Renesas(瑞薩) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
9548 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
RENEASA |
24+ |
LFPAK |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
LFPAK |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
LFPAK |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2012+ |
LFPAK |
523 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
21+ |
SOT669 |
10516 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
23+ |
NA |
2323 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
25+23+ |
LFPAK |
41561 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
21+ |
SOT669 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) |
