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HAT2167H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistanceRDS(on)=4.2m?typ.(atVGS=10V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAT2167N

SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistanceRDS(on)=4.5m?typ.(atVGS=10V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAT2167N-EL-E

SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistanceRDS(on)=4.5m?typ.(atVGS=10V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IPP-2167

OUTLINECOUP

IPP

Innovative Power Products, Inc.

IR2167

PFCBALLASTCONTROLIC

Description TheIR2167isafullyintegrated,fullyprotected600VballastcontrolICdesignedtodrivealltypesoffluorescentlamps.PFCcircuitryprovidesforhighPF,lowTHDandDCBusregulation.Externallyprogrammablefeaturessuchaspreheattime&frequency,ignitionrampcharacter

IRF

International Rectifier

IR2167S

PFCBALLASTCONTROLIC

Description TheIR2167isafullyintegrated,fullyprotected600VballastcontrolICdesignedtodrivealltypesoffluorescentlamps.PFCcircuitryprovidesforhighPF,lowTHDandDCBusregulation.Externallyprogrammablefeaturessuchaspreheattime&frequency,ignitionrampcharacter

IRF

International Rectifier

PIMXRT2167AVMAA

i.MXRT1170CrossoverProcessorsDataSheetforAutomotiveProducts

Features Thei.MXRT1170processorsarebasedonArmCortex?-M7Core?Platform,whichhasthefollowing features: ?TheArmCortex-M7CorePlatform: —32KBL1InstructionCacheand32KBL1DataCache —FloatingPointUnit(FPU)withsingle-precisionanddouble-precisionsupportofArmv7-M

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PIMXRT2167AVPAA

i.MXRT1170CrossoverProcessorsDataSheetforAutomotiveProducts

Features Thei.MXRT1170processorsarebasedonArmCortex?-M7Core?Platform,whichhasthefollowing features: ?TheArmCortex-M7CorePlatform: —32KBL1InstructionCacheand32KBL1DataCache —FloatingPointUnit(FPU)withsingle-precisionanddouble-precisionsupportofArmv7-M

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

RF2167

SAWFilter

REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED

來億中國來億中國有限公司

SF2167E

SAWFilterforDigitalTelevision

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

詳細參數

  • 型號：

    HAT2167H-EL-E

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
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LFPAK
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現貨正品原裝,假一賠十
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RENESAS
25+
SOT23-3
5300
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RENESAS
23+
LFPAK
8890
價格優(yōu)勢/原裝現貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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RENESAS
23+
SOT-4
5000
原裝正品,假一罰十
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RENESAS
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SOT-669
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