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HAT2199R-EL-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HAT2199R-EL-E
廠商型號

HAT2199R-EL-E

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件大小

114.39 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:58:00

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HAT2199R-EL-E規(guī)格書詳情

Features

? High speed switching

? Capable of 4.5 V gate drive

? Low drive current

? High density mounting

? Low on-resistance RDS(on) = 13.0m? typ. (at VGS= 10 V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HAT2199R-EL-E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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