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HAT2218R中文資料杜因特?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HAT2218R
廠商型號(hào)

HAT2218R

功能描述

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.52038 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DOINGTER杜因特

中文名稱

深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 9:36:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HAT2218R

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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