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HAT2285WP中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HAT2285WP
廠商型號(hào)

HAT2285WP

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

文件大小

130.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-3 15:16:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HAT2285WP

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱(chēng):

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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RENESAS/瑞薩
23+
QFN8
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