HBDM60V600W-7_DIODES_兩極晶體管 - BJT 200mW Half H-Bridge一線半導體

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  • 廠家型號:

    HBDM60V600W-7

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    DIODES/Diodes Incorporated

  • 庫存數(shù)量:

    7500

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-23 16:30:00

  • 詳細信息
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原廠料號:HBDM60V600W-7品牌:Diodes

  • 芯片型號:

    HBDM60V600W-7

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    DIODES詳情

  • 廠商全稱:

    Diodes Incorporated

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大小:

    833.4 kb

  • 資料說明:

    COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    HBDM60V600W-7

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mW Half H-Bridge

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市一線半導體有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    云S/廖S

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