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HCS05D中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HCS05D
廠商型號

HCS05D

功能描述

Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

文件大小

389.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 23:09:00

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HCS05D規(guī)格書詳情

Features

? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS

? Total Dose 200K RAD (Si)

? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg

? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/

Bit-Day (Typ)

? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s

? Dose Rate Upset >1010 RAD (SI)/s 20ns Pulse

? Cosmic Ray Upset Immunity < 2 x 10-9 Errors/Gate Day

(Typ)

? Latch-Up Free Under Any Conditions

? Military Temperature Range: -55oC to +125oC

? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs

? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V

? Input Logic Levels

- VIL = 30 of VCC Max

- VIH = 70 of VCC Min

? Input Current Levels Ii ? 5?A at VOL, VOH

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HCS05D

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INTERSIL
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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SONREST
23+
NA/
3750
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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