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HCTS30DMSR

Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

Description TheIntersilHCTS30MSisaRadiationHardened8-InputNANDGate.Ahighonallinputforcestheoutputtoalowstate. TheHCTS30MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily.

Intersil

Intersil Corporation

HCTS30DMSR

Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    HCTS30DMSR

  • 制造商：

    INTERSIL

  • 制造商全稱：

    Intersil Corporation

  • 功能描述：

    Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

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更多HCTS30DMSR供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 9:00:00

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