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IRLMS6802TRPBF	文件：154.58 Kbytes Page：7 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheMicro6?	IRF International Rectifier	IRF
IRLMS6802TRPBF	文件：1.04768 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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