PDTB123EK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PDTB123EK |
| 參數(shù)屬性 | PDTB123EK 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
| 功能描述 | Low VCEsat (BISS) transistors |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
948.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 17:02:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PDTB123EK,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMT3; MPAK
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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