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LT725

PhotoDMOS-FETRelay

Description TheLT725isa2-FormAsolidstaterelayina8pinSMDpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputside

LETEXLETEX technology corp

臺灣麗太麗太科技股份有限公司

LTV-725F

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-725F

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd.

騰恩深圳市騰恩科技有限公司

LTV-725FM

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-725FM

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd.

騰恩深圳市騰恩科技有限公司

LTV-725FS

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-725FS

PropertyofLITE-ONOnly

FEATURES *Highcollector-emittervoltage (VCEO:300V) *Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.1,000atIF=1mA,VCE=2V) *Highisolationvoltagebetweeninputandoutput (VISO=5,000Vrms) *Lowcollectordarkcurrent (ICEO:MAX.10-6AatVCE=200V) *Dual-in-l

TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd.

騰恩深圳市騰恩科技有限公司

LTV-725V

Transistor

PropertyofLite-OnOnly

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-725V

PropertyofLITE-ONOnly

TENANDShenzhen Tenand Technology Co., Ltd.

騰恩深圳市騰恩科技有限公司

LTV-725VM

Transistor

PropertyofLite-OnOnly

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

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更多HE725供應商 更新時間2025-4-16 18:22:00

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