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HFP740中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HFP740
廠商型號

HFP740

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

324.71 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
企業(yè)簡稱

Huashan華汕電子器件

中文名稱

汕頭華汕電子器件有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 13:30:00

HFP740規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.

Features

? 10A, 400V, RDS(on) <0.55?@VGS = 10 V

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? Equivalent Type:IRF740

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HFP740

  • 制造商:

    HUASHAN

  • 制造商全稱:

    HUASHAN

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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