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HGH20N120A中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
HGH20N120A |
功能描述 | N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor |
文件大小 |
1.01653 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
企業(yè)簡稱 |
Huashan【華汕電子器件】 |
中文名稱 | 汕頭華汕電子器件有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-14 10:30:00 |
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HGH20N120A規(guī)格書詳情
Features
? Low saturation voltage, Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V
? High input impedance
? Field stop trench technology offer superior
conduction and switching performances,
? High speed switching
Applications
? Induction heating and Microwave oven
? Soft switching applications
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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DIP |
108 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價 | |||
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MODULE |
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HGJ2MT54211L00 |
3 |
3 |
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