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HGTD3N60A4S中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
HGTD3N60A4S規(guī)格書詳情
The HGTD3N60A4S and the HGTP3N60A4 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.
Features
? >100kHz Operation at 390V, 3A
? 200kHz Operation at 390V, 2.5A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 70ns at TJ = 125°C
? 12mJ EAS Capability
? Low Conduction Loss
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”
產(chǎn)品屬性
- 型號：
HGTD3N60A4S
- 功能描述：
IGBT 晶體管
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
INTERSIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
23+ |
SOT-252 |
5000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
23+ |
SOT-252 |
5000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
23+ |
TO-252TO-251 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
2022+ |
SOT-252 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
2023+ |
SOT-252 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
HARRIS/哈里斯 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
