首頁>HGTG10N120BND>詳情

HGTG10N120BND 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    HGTG10N120BND

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    5000

  • 產(chǎn)品封裝：

    247

  • 生產(chǎn)批號：

    2020+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-31 14:08:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HGTG10N120BND

百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可

  • 芯片型號：

    HGTG10N120BND

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    82.69 kb

  • 資料說明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG10N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    850μJ（開），800μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/165ns

  • 測試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市卓越微芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機：

    13316985496

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82343089

  • 傳真：

    0755-83956720

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華麗大廈2棟一單元415

相近型號