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HGTG12N60B3分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG12N60B3
廠商型號

HGTG12N60B3

參數(shù)屬性

HGTG12N60B3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 27A 104W TO247

功能描述

27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

247.54 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-3-9 19:22:00

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HGTG12N60B3規(guī)格書詳情

This family of MOS gated high voltage switching devices combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 27A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 112ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產品屬性

  • 產品編號:

    HGTG12N60B3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 開關能量:

    150μJ(開),250μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    26ns/150ns

  • 測試條件:

    480V,12A,25 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 27A 104W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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