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HGTG20N60A4D中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HGTG20N60A4D
廠商型號(hào)

HGTG20N60A4D

功能描述

IGBT

文件大小

367.12 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 23:00:00

HGTG20N60A4D規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.7V(Max)@IC=20A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Ultrafast tail current shutoff

·Automotive Chargers

·High Voltage Auxiliaries

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGTG20N60A4D

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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