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HGTG20N60B3分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG20N60B3
廠商型號

HGTG20N60B3

參數屬性

HGTG20N60B3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 40A 165W TO247

功能描述

40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

223.86 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 16:42:00

HGTG20N60B3規(guī)格書詳情

The HGT1S20N60B3S, the HGTP20N60B3 and the HGTG20N60B3 are Generation III MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 40A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150°C

? Short Circuit Rated

? Low Conduction Loss

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

產品屬性

  • 產品編號:

    HGTG20N60B3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 開關能量:

    475μJ(開),1.05mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 165W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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16余年資質 絕對原盒原盤 更多數量
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ON/安森美
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TO-247-3
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FSC仙童
19+
TO-247
73222
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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