訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>HGTG27N120BN>芯片詳情
HGTG27N120BN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):HGTG27N120BN品牌:ON/安森美
只做原裝正品現(xiàn)貨
HGTG27N120BN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-247-3的HGTG27N120BN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
HGTG27N120BN
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,27A
- 開(kāi)關(guān)能量:
2.2mJ(開(kāi)),2.3mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
24ns/195ns
- 測(cè)試條件:
960V,27A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市雅芯通科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
曾R
- 手機(jī):
17620308244
- 詢價(jià):
- 電話:
17620308244
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)B座29S
相近型號(hào)
- HGTG27N60C3DR
- HGTG27N60C3R
- HGTG20N60RUFD
- HGTG20N60N4D
- HGTG2ON60C3DR
- HGTG300N60A4D
- HGTG20N60C3R
- HGTG30N100
- HGTG30N120CN
- HGTG20N60C3IGBT
- HGTG30N120D2
- HGTG30N120N
- HGTG20N60C3DR
- HGTG30N130CN
- HGTG30N40A4D
- HGTG20N60C3D
- HGTG30N60
- HGTG20N60C3
- HGTG30N60A
- HGTG30N60A4
- HGTG30N60A4/G30N60A4
- HGTG20N60B3G20N60B3
- HGTG30N60A4D
- HGTG20N60B3-FS
- HGTG20N60B3D
- HGTG30N60A4DIC
- HGTG30N60A4DIGBT
- HGTG20N60B3
- HGTG30N60A4D-NL
- HGTG20N60A4-NL
- HGTG20N60A4G20N60A4
- HGTG20N60A4D20N60A4D
- HGTG30N60A4G30N60A4
- HGTG20N60A4D
- HGTG30N60A4IGBT
- HGTG20N60A420N60A4
- HGTG30N60B3
- HGTG20N60A4
- HGTG30N60B3/G30N60B3
- HGTG20N60
- HGTG30N60B3_NL
- HGTG20N50E1D
- HGTG30N60B3D
- HGTG20N50CD1
- HGTG30N60B3D_04
- HGTG30N60B3DNL
- HGTG20N50C1D
- HGTG30N60B3G30N60B3
- HGTG20N50C
- HGTG30N60B3-NL