HGTG30N60C3D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    HGTG30N60C3D

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    1983

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    三年內(nèi)

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-24 11:08:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):HGTG30N60C3D

只做原裝正品

  • 芯片型號(hào):

    HGTG30N60C3D

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    HARRIS詳情

  • 廠商全稱:

    Harris Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    131.12 kb

  • 資料說明:

    63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG30N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1.05mJ(開),2.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市納立科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張先生

  • 手機(jī):

    13590203865

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13590203865/0755-88606580

  • 傳真:

    0755-88606580

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室