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HGTG30N60C3D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：HGTG30N60C3D品牌：ON/安森美

原裝現(xiàn)貨

HGTG30N60C3D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-247-3的HGTG30N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTG30N60C3D

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    HARRIS詳情

  • 廠商全稱：

    Harris Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    131.12 kb

  • 資料說(shuō)明：

    63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG30N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.05mJ（開(kāi)），2.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市粵駿騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13530559292

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82532966/82532557

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)6609室

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