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HGTP10N120BN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HGTP10N120BN |
| 參數(shù)屬性 | HGTP10N120BN 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| 功能描述 | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
217.6 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-18 20:00:00 |
HGTP10N120BN規(guī)格書詳情
The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor
Features
? 35A, 1200V, TC = 25oC
? 1200V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
? Avalanche Rated
? Thermal Impedance SPICE Model
Temperature Compensating SABER? Model
www.fairchildsemi.com
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HGTP10N120BN
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，10A
- 開關(guān)能量：
320μJ（開），800μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/165ns
- 測試條件：
960V，10A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
11500 |
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詢價(jià) | ||
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20+ |
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原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
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ON |
22+ |
NA |
4000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
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FAIRC |
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TO-220 |
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