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HIP6601BCB

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HIP6601BCBZ

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency, dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xx seriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandMOSFETs

Intersil

Intersil Corporation

HIP6601BCBZ

Marking：6601BCBZ；Package：8LdSOIC；Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedto drivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous rectifiedbuckconvertertopology.Thesedriverscombined withaHIP63xxortheISL65xxseriesofMult

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6601BCBZ

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

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HIP6601BCBZA

Marking：6601BCBZ；Package：8LdSOIC；Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedto drivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous rectifiedbuckconvertertopology.Thesedriverscombined withaHIP63xxortheISL65xxseriesofMult

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6601BCBZA

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

TheHIP6601B,HIP6603BandHIP6604Barehigh-frequency, dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxortheISL65xx seriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandMOSFETs

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HIP6601BCBZA

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

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HIP6601BCB-T

Drives Two N-Channel MOSFETs

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HIP6601BCBZ

Drives Two N-Channel MOSFETs

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HIP6601BCBZA

Drives Two N-Channel MOSFETs

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6601BCB

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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