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HIP6601BECBZA集成電路（IC）柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

HIP6601BECBZA
廠商型號(hào)

HIP6601BECBZA
參數(shù)屬性

HIP6601BECBZA 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
文件大小

682.09 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-25 17:49:00

HIP6601BECBZA規(guī)格書詳情

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

The HIP6601B, HIP6603B and HIP6604B are highfrequency, dual MOSFET drivers specifically designed to

drive two power N-Channel MOSFETs in a synchronous

rectified buck converter topology. These drivers combined

with a HIP63xx or the ISL65xx series of Multi-Phase Buck

PWM controllers and MOSFETs form a complete core-voltage regulator solution for advanced microprocessors.

Features

? Drives Two N-Channel MOSFETs

? Adaptive Shoot-Through Protection

? Internal Bootstrap Device

? Supports High Switching Frequency

- Fast Output Rise Time

- Propagation Delay 30ns

? Small 8 Ld SOIC and EPSOIC and 16 Ld QFN Packages

? Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency

? Three-State Input for Output Stage Shutdown

? Supply Undervoltage Protection

? QFN Package

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN—Quad Flat No Leads—Product Outline.

- Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB Efficiency and Thinner in Profile.

? Pb-Free (RoHS Compliant)

Applications

? Core Voltage Supplies for Intel Pentium? III, AMD? Athlon? Microprocessors

? High Frequency Low Profile DC/DC Converters

? High Current Low Voltage DC/DC Converters

HIP6601BECBZA屬于集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的HIP6601BECBZA柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6601BECBZA

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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