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HIP6602BCRZ-T	文件：319.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver TheHIP6602Bisahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdeviceisavailableineithera14-leadSOICora16-leadQFNpackagewithaPADtothermallyenhancethepackage.	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602BCRZ-T	文件：608.19 Kbytes Page：12 Pages	Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6602BCRZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：16-VQFN 裸露焊盤類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HIP6602CB	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs?formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602CB	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6602CB-T	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs?formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602CB-T	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRF6602	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6602combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistancechargeproductinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexi	IRF International Rectifier	IRF
LA6602V	文件：88.2 Kbytes Page：6 Pages	I-VAmplifierforMiniDiscDrives Features ?TheLA6602VisoptimalasaninterfaceICbetweenthePDandservoICsusedinMDPUmodules. ?Eightbufferamplifierchannels ?On-chiplow-noisehigh-bandwidthamplifierRFblock	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
LM6602	文件：1.35066 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LTC6602	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC6602CUF-PBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC6602CUF-TRPBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC6602IUF-PBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC6602IUF-TRPBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
MAX6602	文件：207.94 Kbytes Page：18 Pages	Five-ChannelPrecisionTemperatureMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX6602	文件：608.26 Kbytes Page：18 Pages	Five-ChannelPrecisionTemperatureMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MCH6602	文件：43.14 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
MCH6602	文件：66.09 Kbytes Page：5 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HIP6602BCRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
管件
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
同步
柵極類型：
N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
10.8V ~ 13.2V
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
20ns，20ns
工作溫度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
16-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳兆威電子有限公司	HIP6602BCRZ-T	INTERSIL	23+	16-QFN	90000	只做原裝！全系列供應(yīng)可長期供貨穩(wěn)定價格優(yōu)勢！	詢價
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深圳市星佑電子有限公司	HIP6602BCRZ-T	INTERSIL	21+	16-QFN	6000	全新原裝現(xiàn)貨價優(yōu)	詢價
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更多HIP6602BCRZ-T供應(yīng)商更新時間2024-12-28 14:20:00

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